脉冲电沉积法制备SnS薄膜及其光电性质研究

作     者：喀哈尔.玉苏普 林涛 耿雷 徐岭 徐骏 Kahaer· Yusupu;Lin Tao;Geng Lei;Xu Ling;Xu Jun

作者机构：南京大学电子科学与工程学院物理学院南京210093 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2012年第32卷第8期

页      面：682-687页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(61036001) 江苏省国际科技合作计划项目(BZ2010068) 

主　　题：SnS薄膜 结构 脉冲电沉积法 肖特基接触 

摘      要：在ITO玻璃衬底上使用脉冲电沉积法制备了SnS薄膜,研究了不同的开启脉冲电位对薄膜表面,薄膜结构以及光学性质的影响。结果表明,在不同开启脉冲电位下制备出来的SnS薄膜的禁带宽度可以在1.3-1.62 eV范围内变化,并且随着开启脉冲电位的增大,薄膜的禁带宽度逐渐变大。在开启脉冲电位为-0.70V（***）时,制备的薄膜禁带宽度为1.53 eV,在可见光范围内光吸收系数均达到104cm^-1以上。扫描电子显微镜的测试结果表明所得薄膜的表面平整并且均匀。结合X射线衍射结果可证实制备出的薄膜是由正交结构晶粒组成的多晶体。对薄膜进行变温电学性质的测试,得到了薄膜电导率温度谱,发现室温下薄膜的电导率为***^-1。同时,在实验上发现了薄膜与Al电极形成了肖特基接触,由电学测试推导出肖特基势垒高度为0.58 eV。