CaCu_3Ti_4O_(12)块材和薄膜的巨介电常数
High dielectric constant in CaCu_3Ti_4O_(12) bulk and thin films作者机构：浙江大学物理系杭州310027
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2003年第52卷第6期
页 面：1500-1504页
核心收录：
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家重点基础研究专项经费 国家自然科学基金 (批准号 :10 2 740 70 )资助的课题~~
主 题：CaCu3Ti4012 块材 薄膜 巨介电常数 固相反应法 脉冲激光沉积 介电特性 铁电材料 信息存储器件
摘 要：用固相反应法和脉冲激光沉积 (PLD)制备了CaCu3Ti4O1 2 块材和薄膜 ,获得了相对介电常数ε′( 1kHz ,3 0 0K)高于140 0 0的介电特性 ,是目前该体系最好的结果 .报道了 ( 0 0l)取向高质量CaCu3Ti4O1 2 外延薄膜及其介电性质 .CaCu3Ti4O1 2 相对介电常数ε′在 10 0— 3 0 0K温度范围内基本保持恒定 ,稳定性好 .基于跳跃电导模型 ,对CaCu3Ti4O1
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