脉冲压缩开关DBD研究

作     者：谭科民 杨勇 崔占东 马红梅 刘忠山 陈洪斌 Tan Kemin;Yang Yong;Cui Zhandong;Ma Hongmei;Liu Zhongshan;Chen hongbin

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 中国工程物理研究院应用电子学研究所四川绵阳621900 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2011年第36卷第8期

页      面：595-597,608页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目 

主　　题：延迟击穿器件 半导体断路开关 高重复频率超宽带源 延迟击穿 脉冲压缩 

摘      要：延迟击穿器件(DBD)是一种新型的半导体导通式开关,它具有重复工作频率高、体积小、重量轻、稳定性好等优点。利用此种开关对基于半导体断路开关(sem iconductoropening switches,SOS)开关输出的高重复频率的脉冲波形进行压缩,可制作出高重复频率的超宽带脉冲源。介绍了DBD开关的基本工作原理和研制结果,给出了在相同测试条件下,与国外同类开关的测试结果对比波形,结果表明,研制的DBD开关和国外开关的指标基本相同,其中某些指标优于国外开关水平。