分子动力学方法模拟压强对Bi4Ti3O12铁电相变行为的影响

作     者：孙玲玲 马颖 周益春 

作者机构：湘潭大学材料与光电物理学院 湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室湘潭411105 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2011年第26卷第5期

页      面：491-494页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(10702059) 教育部博士点新教师基金(20070530009) 教育部留学回国人员科研启动基金(2008890) 国家博士后科学基金(20090451102) 

主　　题：分子动力学 Bi4Ti3O12 压强 相变 

摘      要：在壳模型的基础上,通过分子动力学方法模拟了压强对Bi4Ti3O12(BIT)铁电相变行为的影响.为了提高模拟的准确性,在原有势参数的基础上增加了Ti-Ti短程相互作用势.计算得出了温度为300K时BIT单晶的铁电正交B2cb相在x方向和z方向的自发极化强度分别为39.4μC/cm2和0,与实验结果较好的吻合.然后模拟了压强对BIT相变行为的影响.模拟结果表明:BIT单晶在压强从-2 GPa到24 GPa范围内,经历了两次结构相变,分别发生在6 GPa和20 GPa处.这种对称性的改变类似于在环境压力条件下温度导致BIT单晶对称性的改变.因而模拟结果为研究压强引起BIT的相变行为提供了理论依据.