高温Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的特性
I-V characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes under high temperature作者机构：西安电子科技大学微电子所西安710071
出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)
年 卷 期：2002年第8卷第4期
页 面：383-387页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家部委基金项目资助(No.00J.8.2.1D20130)
摘 要：在研究高温下串联电阻Ron对肖特基势垒二极管正向特性的影响,以及各种反向电流密度分量对其反向特性的影响基础上,测量并理论计算了300-528K范围内Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的伏安特性。分别得到了理想因子、肖特基势垒高度和串联电阻在395K和528K温度下的数值。理论和实验的比较说明,高温下,热电子发射是正向电流的主要输运机理,反向电流除了以隧道效应为主外,热电子发射电流和耗尽层中复合中心产生电流都随温度的升高而大大增加,必须加以考虑。
维普期刊数据库
同方期刊数据库
