H1299旁效应细胞对X-射线辐射的适应性与TGF-β1通路相关

作     者：蒋友芹 田文倩 尹晓明 王敬东 杨红英 JIANG Youqin;TIAN Wenqian;YIN Xiaoming;WANG Jingdong;YANG Hongying

作者机构：苏州大学医学部放射医学与防护学院/放射医学及交叉学科研究院苏州215123 

出 版 物：《辐射研究与辐射工艺学报》 (Journal of Radiation Research and Radiation Processing)

年 卷 期：2014年第32卷第3期

页      面：39-45页

核心收录：

学科分类：071011[理学-生物物理学] 0710[理学-生物学] 082704[工学-辐射防护及环境保护] 07[理学] 08[工学] 0827[工学-核科学与技术] 

基　　金：国家自然科学基金(31270898 11335011) 江苏省教育厅省属高校自然科学研究重大项目(12KJA310005) 江苏高校优势学科建设工程资助项目(PAPD)资助 

主　　题：电离辐射旁效应 适应性 TGF-β1信号通路 SOD2 肺癌细胞 

摘      要：本研究探索辐射诱导人非小细胞肺癌H1299旁效应细胞的适应性反应及TGF-β1通路在其中的作用。采用培养液转移法得到辐射诱导的旁效应细胞,用克隆形成实验检测旁效应细胞受照射后的适应性反应,用Western Blotting检测旁效应细胞中SOD2的表达变化。结果发现:用条件培养液培养H1299旁效应细胞,并不影响细胞的克隆存活率;但是细胞经1 h和18 h未照射条件培养液培养后再接受2Gy的X-射线照射,其细胞存活率较培养于新鲜培养液的细胞受照后的存活率分别增加了12%和38%,经1 h和18 h照射条件培养液培养后的细胞再接受2Gy的X-射线照射,其细胞存活力在此基础上又分别增加了10%;当在照前用TGF-βR1抑制剂SB431542处理信号细胞后,旁效应细胞的适应性反应不再发生;而将SB431542直接加入条件培养液中,并未影响1 h条件培养液诱导的适应性,但是用含有SB431542的18 h未照射和照射条件培养液培养过的旁效应细胞经2 Gy照射后,其克隆存活率较未加SB431542组分别降低了28%和18%,18 h未照射和照射条件培养液组间差异却增大至24%;旁效应细胞经照射条件培养液培养3 h或5 h后其SOD2表达下降。以上结果表明经条件培养液培养后旁效应细胞对X-射线照射产生了适应性反应,照射条件培养液与未照射条件培养液相比,进一步增加了这种适应性,并且TGF-β1信号通路对该适应性有重要调控作用,而SOD2可能未参与这个过程。