非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷

作     者：孙卫忠 牛新环 王海云 刘彩池 徐岳生 Sun Weizhong;Niu Xinhuan;Wang Haiyun;Liu Caichi;Xu Yuesheng

作者机构：河北工业大学天津300130 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2006年第35卷第10期

页      面：1544-1547页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 0806[工学-冶金工程] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(60276009) 中国人民解放军总装备部(00JS02.2.1QT4501) 河北省自然科学基金(599033)资助项目 

主　　题：SI-GaAs 微缺陷 位错 AB腐蚀 杂质碳 

摘      要：用化学腐蚀法、金相显微观察、透射电镜(TEM)、电子探针X射线微区分析(EPMA)和扫描电镜能谱分析(EDX)等手段,对φ76mm非掺杂(ND)半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷、碳的微区分布进行了分析。结果表明:在晶体周边区域,由高密度位错运动和反应形成胞状结构,该胞状结构的本质就是晶体结晶时形成的小角度晶界,且位错与微缺陷有强烈的相互作用;杂质碳在胞壁、近胞壁和完整区的含量依次降低,存在条纹分布。