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铜基薄膜太阳电池无镉缓冲层的研究进展

Progress of the Cd-free Buffer Layers Used in Cu-based Film Solar Cells

作     者:彭柳军 杨培志 自兴发 宋肇宁 PENG Liujun;YANG Peizhi;ZI Xingfa;SONG Zhaoning

作者机构:云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室昆明650092 云南师范大学太阳能研究所昆明650092 美国托莱多大学物理与天文系托菜多oh43606 

出 版 物:《材料导报》 (Materials Reports)

年 卷 期:2014年第28卷第13期

页      面:131-135页

核心收录:

学科分类:08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家自然科学基金云南联合基金(U1037604) 

主  题:无镉缓冲层 铜基薄膜太阳电池 制备方法 

摘      要:铜基太阳电池是以具有含铜的黄铜矿结构化合物或其衍生物为吸收层的太阳电池,其中以CIGS为吸收层的薄膜太阳电池是目前效率最高的铜基太阳电池。典型的铜基太阳电池通常在窗口层和吸收层间加一层CdS缓冲层作为窗口过渡层,但由于Cd有毒,CdS带隙较小,因此人们对无镉缓冲层材料进行了广泛的探索研究。综述了铜基薄膜太阳电池无镉缓冲层研究进展,指出了作为缓冲层的结构和光电特性要求,比较了各类无镉缓冲层的不同制备方法,讨论了无镉缓冲层研究中存在的问题和今后发展的方向,特别指出锌基化合物是最有潜力的无镉缓冲层材料。

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