软膜紫外光固化纳米压印中Amonil光刻胶的刻蚀参数优化(英文)

作     者：陈静 石剑 刘正堂 DECANINI Dominique HAGHIRI-GOSNET Anne-Marie CHEN Jing;SHI Jian;LIU Zheng-tang;DECANINI Dominique;HAGHIRI-GOSNET Anne-Marie

作者机构：西北工业大学凝固国家重点实验室西安710072 法国国家科研中心光子与纳米结构实验室马库锡91460 法国巴黎高等师范学院巴黎75005 

出 版 物：《纳米技术与精密工程》 (Nanotechnology and Precision Engineering)

年 卷 期：2012年第10卷第1期

页      面：52-58页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 070207[理学-光学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家留学基金委留学基金资助项目 

主　　题：软膜紫外光固化纳米压印 反应离子刻蚀 刻蚀形貌 表面粗糙度 

摘      要：报道了反应离子刻蚀转移图形过程中对Amonil光刻胶的刻蚀参数优化的结果.利用软膜紫外光固化纳米压印技术,首先制备了线宽/间距均为200 nm的纳米光栅结构.然后采用反应离子刻蚀的方法去除残留的Amonil光刻胶.研究了不同的气体组成、射频功率、压强和气体流量对刻蚀形貌、表面粗糙度以及刻蚀速度的影响.在优化的工艺条件下,获得了理想的具有垂直侧壁形貌和较小表面粗糙度的纳米光栅阵列.结果表明,选择优化的刻蚀工艺参数,既能有效地改善图形转移的性能,同时也能提高所制备结构的光学应用特性.