砷化镓表面P_2S_5/NH_4OH钝化研究
STUDIES ONN PASSIVATING A P_2S_5/NH_4oH-TREATED GaAs SURFACE ZONG XIANGFU WENG YUMIN LID KEIFENG作者机构:复旦大学
出 版 物:《应用科学学报》 (Journal of Applied Sciences)
年 卷 期:1994年第12卷第3期
页 面:196-202页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
摘 要:用X光电子能谱(XPS)、先致发光(PL)和俄歇电子能量谱(AES)研究P_2S_5/NH_4OH对n型GaAs(100)晶面的钝化作用.测试结果表明,钝化后在砷化镓(100)面上的自然氧化物已被除去,表面形成了一层性质稳定的硫原子层.硫原子与砷、镓原子分别有效地成键,阻止了砷化镓表面氧化物的组成,并消除了表面存在的悬挂键,从而大大优化了GaAs(100)面的特性.PL实验结果支持了上述结论.实验结果表明钝化后GaAs表面复合速度下降,表面态密度降低.