倾斜衬底沉积法在金属衬底上外延生长YBCO薄膜

作     者：李美亚 赵兴中 B.Ma R.E.Koritala U.Balachandran LI Mei-ya;ZHAO Xing-zhong;B. Ma;R. E. Koritala;U. Balachandran

作者机构：武汉大学物理科学与技术学院湖北武汉430072 武汉大学纳米科学与材料中心湖北武汉430072 Energy Technology DivisionArgonne National LaboratoryArgonneIL 60439USA 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2004年第35卷第Z1期

页      面：884-886页

核心收录：

学科分类：080705[工学-制冷及低温工程] 080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

主　　题：YBCO镀膜导体 倾斜衬底沉积法 外延生长 

摘      要：YBa2Cu3O7-x(YBCO)镀膜导体在电力等能源领域有巨大应用前景.利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了双轴织构的YBCO薄膜的外延生长.这些膜的双轴织构用X射线极图分析、φ-扫描作了测定,观测到了MgO[001]方向相对于衬底法线倾斜了31°.研究了不同缓冲层材料对YBCO外延生长的取向和双轴织构的影响,外延生长的高质量的YBCO薄膜的转变温度和临界电流密度分别达到了91K和5.5×105A/cm2的较高的值.