钇对掺铒多孔硅体系1.54μm发光的增强作用

作     者：张晓霞 谢国伟 石建新 罗莉 黄伟国 龚孟濂 Zhang Xiaoxia;Cheah Kok-Wai;Shi Jianxin;Luo Li;Wong Kai- Kwok;Gong Menglian

作者机构：中山大学光电材料与技术国家重点实验室 香港浸会大学物理系 香港浸会大学化学系 

出 版 物：《化学学报》 (Acta Chimica Sinica)

年 卷 期：2003年第61卷第9期

页      面：1430-1433页

核心收录：

学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：香港RGCEarmarkedGrant资助项目 广东省自然科学基金 (Nos.980 342 970 1 63) 光电材料与技术国家重点实验室基金 (2 0 0 0 )资助项目 

主　　题：钇 掺杂 铒 多孔硅 增强作用 近红外光致发光 发光机理 电化学 

摘      要：首次报道了用恒电位电解法将铒、钇共掺入多孔硅 (poroussilicon ,PS)中 ,经高温退火处理后 ,观察到了在近红外区(1 5 4μm)室温下较强的光致发光 (photoluminescence ,PL) ,并与掺铒多孔硅 (erbium dopedporoussilicon ,PS∶Er)做了比较 ,发现钇的共掺入对掺铒多孔硅体系 1 5 4μm发射起了增强作用 .研究了铒、钇共掺杂多孔硅 (erbiumandyttriumco dopedporoussilicon ,PS∶Er ,Y)光致发光强度随温度的变化 ,发现PS∶Er与Si∶Er材料相似 ,有较强的温度猝灭效应 ,而PS∶Er ,Y体系的PL强度随温度升高趋于平稳 ,且有增强的趋势 ,受温度影响不明显 ,并初步探讨了其发光机制 .