MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵

作     者：叶振华 黄建 尹文婷 胡伟达 冯婧文 陈路 廖亲君 陈洪雷 林春 胡晓宁 丁瑞军 何力 YE Zhen-Hua;HUANG Jian;YIN Wen-Ting;HU Wei-Da;FENG Jing-Wen;CHEN Lu;LIAO Qin-Jun;CHEN Hong-Lei;LIN Chun;HU Xiao-Ning;DING Rui-Jun;HE Li

作者机构：中国科学院上海技术物理所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2011年第30卷第6期

页      面：495-498,517页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：中国科学院国防科技创新基金(cxjj-10-m29) 国家自然科学基金((6070612) 

主　　题：碲镉汞 分子束外延 原位碲化镉钝化 动态阻抗 

摘      要：采用分子束外延(MBE)技术在表面生长碲化镉(CdTe)介质膜的p型碲镉汞(HgCdTe)材料,并通过离子注入区的光刻、暴露HgCdTe表面的窗口腐蚀、注入阻挡层硫化锌(ZnS)的生长、形成p-n结的B+注入、注入阻挡层的去除、绝缘介质膜ZnS的生长、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了原位CdTe钝化的n+-on-p平面型HgCdTe红外光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-v)和动态阻抗与电压(R-v)特性曲线中,发现原位CdTe钝化的光电二极管列阵的零偏动态阻抗比非原位CdTe钝化的提高了1～2倍,零偏压附近的反向偏压位置的动态阻抗极大值甚至提高了30～40倍.对于工作在反向小偏压附近的光电二极管列阵,原位CdTe钝化方法非常有利于提高长波光电二极管的探测性能.