LBL法制备Cu_3SbS_4薄膜
Preparation of Cu_3SbS_4 Thin Films with LBL Method作者机构：军事交通学院基础部天津300161
出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)
年 卷 期：2005年第24卷第4期
页 面：24-27页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：复合材料 Cu3SbS4薄膜 LBL(layer—by—layer)法 结构特性 光学特性
摘 要：针对水溶液化学沉积法沉积过程复杂且难于控制的缺点,利用LBL(layer-by-layer)法,在玻璃基片上制备出了Cu3SbS4薄膜。即首先在玻璃基片上沉积Sb2S3薄膜,然后再在其上制备CuS薄膜,最后进行退火处理。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构特性和光学特性。制备的薄膜为多晶Cu3SbS4(四方晶系)结构,厚度为344nm,直接光学带隙约为0.47eV。
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