SiOC低介电常数介质吸湿机理的理论研究

作     者：孙亮 朱莲 薛原 丁士进 张卫 SUN Liang,ZHU Lian,XUE Yuan,DING Shi-jin,ZHANG Wei(Dept.of Microelectronics,Fudan-Novellus Interconnect Research Center,Fudan Univ.,Shanghai 200433,China)

作者机构：复旦大学微电子学系上海200433 

出 版 物：《上海交通大学学报》 (Journal of Shanghai Jiaotong University)

年 卷 期：2007年第41卷第S2期

页      面：9-11页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90607019) 

主　　题：SiOC 密度泛函理论 吸水反应 

摘      要：利用密度泛函理论(DFT)系统研究了掺碳的SiO2低κ互连介质(SiOC)的吸湿问题.比较了Si-CH3和Si-CH2-Si这两种反应位与H2O的反应,研究发现—CH3更加容易与水反应而脱离SiOC薄膜.还研究了多个水分子吸附于Si-CH3反应位情况下的吸水反应.当SiOC薄膜表面吸附多个水分子,并且水分子以二聚物形式存在时,吸水反应的势垒明显降低.