一价Na元素对LaMnO_3母体A位掺杂的磁电性质研究(英文)
Magneto-Electric Properties of LaMnO_3 with Monovalent Na Element Doping at A Site作者机构:宿州学院自旋电子与纳米材料安徽省重点实验室培育基地安徽宿州234000 南京大学固体微结构物理国家重点实验室江苏南京210093
出 版 物:《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)
年 卷 期:2008年第37卷第11期
页 面:1887-1892页
核心收录:
学科分类:080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
基 金:supported by the National Science Foundation of China(19934003) the State Key Project of Fundamental Research ofChina(001CB610604) the Nature Science Foundation of the Anhui Higher Education Institutions of China(2006KJ266B,ZD2007003-1)
主 题:磁电性质 双交换作用 静态Jahn-Teller畸变 公差因子
摘 要:通过测量La1-xNaxMnO3(x=0.05,0.10,0.15,0.20,0.25,0.33)体系的M-T曲线和R-T曲线,研究了La位Na掺杂对体系磁电性质的影响。结果发现:随着Na掺杂浓度的增加,体系居里温度TC升高,顺磁-铁磁相变逐渐变陡;伴随着顺磁-铁磁相变,体系发生金属-绝缘体相变,电阻随掺杂浓度增加而下降。体系磁电性质的变化来源于掺杂引起的Mn3+-O-Mn4+间的双交换作用、静态Jahn-Teller畸变和公差因子的变化。