掺C高阻GaN的MOCVD外延生长

作     者：钟林健 邢艳辉 韩军 王凯 朱启发 范亚明 邓旭光 张宝顺 

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室北京100124 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室江苏苏州215123 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2015年第42卷第4期

页      面：174-178页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(61204011 11204009 61107026) 国家自然科学基金重点基金(U103760) 北京市自然科学基金(4142005) 

主　　题：材料 C掺杂 高阻 半绝缘 金属有机物化学气相沉积 Ga N薄膜 

摘      要：利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了Ga N∶C薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的Ga N薄膜,研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD外延Ga N薄膜电学性能的影响,发现CCl4流量和载气对实现高阻的Ga N影响很大。当Ga N缓冲层采用N2作为载气,CCl4的流量为0.016μmol/min时成功实现了Ga N的高阻生长,样品A2的方块电阻高达2.8×107Ω/sq。经原子力显微镜(AFM)测试显示,样品的表面形貌较好,粗糙度均在0.3 nm附近,说明C掺杂对外延Ga N薄膜的表面形貌没有大的影响。低温荧光光谱测试显示黄光峰与刃型位错有关。