InGaN绿光LED中p型GaN层的优化设计

作     者：郝锐 马学进 马昆旺 周仕忠 李国强 

作者机构：华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室广州510640 江门市奥伦德光电有限公司江门529000 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2013年第34卷第1期

页      面：20-24页

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金项目(51002052) 广东省重大科技专项项目(2011A080801018) 广东省战略新兴产业LED专项资金项目(2011A0813010101) 

主　　题：InGaN 绿光LED p型GaN 外延生长 X射线衍射 

摘      要：InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降。由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此,p型GaN的生长过程对多量子阱质量有重大影响。论文探讨了p型GaN的生长温度与厚度对绿光LED的材料结构及器件性能的影响。研究发现,p-GaN过高的生长温度和过大的厚度都能加剧多量子阱结构中In组分的波动,使得发光峰宽化,同时降低绿光量子阱的发光效率。论文据此提出了优化的p型GaN生长温度与厚度,探讨了量子阱保护层对InGaN绿光LED性能的影响,该结构有利于增强绿光LED发光波长的稳定性。