两步蒸镀法制备高质量(CH3NH3)3Bi2I9钙钛矿薄膜

作     者：李晓伟 刘艳领 K. P.Homewood 黄忠兵 高云 雷丙龙 Xiaowei Li;Yanling Liu;K. P. Homewood;Zhongbing Huang;Yun Gao;Binglong Lei

作者机构：湖北大学物理与电子科学学院湖北武汉 湖北大学材料科学与工程学院湖北武汉 

出 版 物：《材料科学》 (Material Sciences)

年 卷 期：2019年第9卷第2期

页      面：115-126页

学科分类：07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：本研究由国家自然科学基金(51602096、11374091、11574076、11674087) 湖北省科技厅(2018CFA026) 武汉市科技局(2018010401011268) 高校学科创新引智计划(111项目,D18025)资助 

主　　题：薄膜 铋基钙钛矿 蒸镀 氯 掺杂 

摘      要：(CH3NH3)3Bi2I9 (MBI)钙钛矿属于六方晶系,在薄膜制备时,晶体颗粒具有c轴优先生长的特性,因而很难获得平整均一的高质量薄膜。在前期研究的基础上,我们通过两步蒸镀法得到了致密无针孔的薄膜。该薄膜的可重复性不够理想,有时仍有一定量的六方片状晶粒出现,显著降低了薄膜的质量。在此基础上,我们通过引入氯元素,从根本上抑制了MBI薄膜的c轴优先生长,制备出具有良好重复性、光滑平整且晶粒尺寸较大的高质量MBI薄膜。