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3d过渡族金属杂质在硅中的行为

Behavior of 3d Transition Metals in Sillicon Crystal

作     者:张溪文 杨德仁 阙端麟 

作者机构:浙江大学硅材料国家重点实验室 

出 版 物:《材料科学与工程》 (Materials Science and Engineering)

年 卷 期:1997年第15卷第4期

页      面:19-21页

核心收录:

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:3d过渡族金属 内吸杂 氧沉淀  IC 扩散 

摘      要:本文综述了3d过渡族金属在直拉硅单晶中的扩散、溶解、沉淀及间隙位演变等性质,介绍了国际上在此领域的研究进展,为进一步开展这方面的工作提供了有益的借鉴。

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