SnSex薄膜中SnSe与SnSe2两相调控机理研究

作     者：陈娜 牛逸潇 唐家豪 张凯凯 陈俏宇 朱希 唐曙锋 潘媛媛 

作者机构：绍兴文理学院物理系浙江绍兴 

出 版 物：《现代物理》 (Modern Physics)

年 卷 期：2019年第9卷第1期

页      面：48-53页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家级大学生创新创业训练计划项目 浙江省大学生科技创新活动计划暨新苗计划项目资助 

主　　题：SnSe SnSe2 X射线光电子能谱 拉曼光谱 分子束外延 

摘      要：本论文利用分子束外延技术在BaF2 (111)衬底上制备了SnSex薄膜,并利用拉曼光谱和X光电子能谱(XPS)对SnSex薄膜中SnSe、SnSe2两组分的调控机理进行了系统研究,研究结果表明当锡硒原子比率Sn/Se ≈ 1时,以250℃和300℃衬底温度制备的SnSex薄膜均存在SnSe和SnSe2两种组分,提高衬底温度将有利于薄膜中SnSe的形成,当衬底温度由250℃提高到300℃时,XPS中与SnSe、SnSe2相对应的Sn 3d5/2组分峰的强度比ISnSe/SnSe2由0.23提高到了0.54。进一步的研究结果表明,与提高衬底温度相比,通过增大生长过程中锡硒原子比率可更有效地提升薄膜中SnSe的比例,XPS数据显示当锡硒原子比率由Sn/Se ≈ 1提高到Sn/Se ≈ 1.02时,与SnSe、SnSe2相对应的Sn 3d5/2组分峰的强度比ISnSe/SnSe2由0.23提高到了2.38。本论文的研究将为今后纯SnSe相的可控制备提供理论依据。