MOCVD片式红外辐射系统调节曲线的仿真与分析
Simulation and Analysis of Temperature Modulate Curve in MOCVD with the Chipped Infrared Heating System作者机构：西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071
出 版 物：《电子科技》 (Electronic Science and Technology)
年 卷 期：2012年第25卷第1期
页 面：108-111页
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：以片式红外加热的MOCVD反应室为研究对象,应用二位数学模型进行了有限元分析和计算,具体研究了加热器调节的依据——调节曲线的峰值变化情况。通过计算表明,片式加热器加热系统在石墨盘上的调节曲线峰值变化与加热器的加热功率、水平位置和大小有很密切的关系,文中解释了峰值移动的内在原因。得出设计加热器一些原则:加热器越多调节越灵活;外圈加热器最大加热功率要大于内圈加热器;最外圈加热器宜小。研究结果对MOCVD反应室加热系统设计以及在实际生产中的加热条件优化提供了参考。
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