多组分掺杂ZnO陶瓷薄膜的射频磁控溅射法制备及表征

作     者：花银群 孙真真 陈瑞芳 徐瑞丽 HUA Yin-qun;SUN Zhen-zhen;CHEN Rui-fang;XU Rui-li

作者机构：江苏大学机械工程学院江苏镇江212013 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2011年第42卷第3期

页      面：444-447页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50451004) 

主　　题：无机非金属材料 ZnO陶瓷薄膜 射频磁控溅射 溅射功率 退火温度 

摘      要：采用传统陶瓷烧结工艺,制备了直径为50mm,厚度为3mm的Bi2O3、Sb2O3、Co2O3、Cr2O3、MnO2掺杂的ZnO陶瓷靶,采用所制备的ZnO陶瓷靶和射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上成功制备出了ZnO陶瓷薄膜,并研究了溅射功率和退火温度对ZnO陶瓷薄膜的微观结构和表面形貌的影响。结果表明:随着溅射功率的增大,ZnO陶瓷薄膜的沉积速率增大;颗粒尺寸先减小后增大。随着退火温度的升高,ZnO陶瓷薄膜的c轴取向增强;晶粒尺寸增大。溅射功率为350W,退火温度为850℃,制备出的陶瓷薄膜的相组成是ZnO主晶相、富Bi2O3相、Sb2O3相以及Zn2.33Sb0.67O4尖晶石相,得到了具有压敏电阻特性的组织结构。