HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究

作     者：王鹏 卜皎 刘玉伟 曹刚 石艳玲 刘春玲 李菲 孙玲玲 WANG Peng;BU Jiao;LIU Yuwei;CAOGang;SHI Yanling;LIU Chunling;LI Fei;SUN Lingling

作者机构：华东师范大学信息科学技术学院电子系上海200062 上海华虹NEC电子有限公司上海201206 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2009年第32卷第3期

页      面：526-528页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助(60676047,60606010) 上海市科委资助(075007033,08706200802) 

主　　题：等离子体充电损伤 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD) 栅氧化膜 光电导 

摘      要：高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束时的光电导效应使得IMD层(包括FSG和USG)在较短的时间内处于导电状态,较大电流由IMD层流经栅氧化膜,在栅氧化膜中产生缺陷,从而降低了栅氧化膜可靠性。通过对HDP CVD结束后反应腔内气体组分的调节,IMD层的光电导现象得到了一定程度的抑制,等离子充电损伤得到了改善。