氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析
Infrared analysis on hydrogen content and Si-H bonding configurations of hydrogenated amorphous silicon films作者机构：汕头大学物理系汕头515063
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2003年第52卷第1期
页 面：169-174页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
基 金：国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 0 )资助的课题~~
摘 要：Fourier红外透射 (FTIR)谱技术是研究氢化非晶硅 (a Si∶H)薄膜中氢的含量 (CH)及硅—氢键合模式 (Si Hn)最有效的手段 .对用等离子体化学气相沉积 (PCVD)方法在不同的衬底温度 (Ts)下制备出的氢化非晶硅薄膜 ,通过红外透射光谱的基线拟合、高斯拟合分析 ,得到了薄膜中的氢含量 ,硅氢键合模式及其组分 ,并分析了这些参量随衬底温度变化的规律 .
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