导电性电子束抗蚀剂
出 版 物：《化工新型材料》 (New Chemical Materials)
年 卷 期：1989年第17卷第8期
页 面：40-41页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：随着集成电路图形的微细化,具有微细图形描绘能力的电子束曝光益显重要。这种技术可用于光掩膜、中间掩膜、不能用光曝光来形成微细图形的GaAs器件和Si器件的制作,以及特定用途的集成电路(ASIC)的制作等方面。电子束在曝光过程中,当所描绘的目的物是绝缘或近于绝缘材料时,由于描绘时带电,所以存在电子束照射点偏移,描绘图形精度降低等缺点,如造成变形。即使是Si基板上的多层抗蚀剂,也会因多层抗蚀剂中残留的入射电子而使其图形精度下降。为了防止带电,传统的作法是在抗蚀剂表面和多层抗蚀剂之间形成金属Si等导电膜,以放出电荷。
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