缓冲层对氮化镓二维生长的影响
Influence of the buffer layer on GaN two-dimension growth by RF-plasma MBE作者机构：中国科学院信息功能材料国家重点实验室
出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)
年 卷 期：2002年第8卷第2期
页 面：133-138页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家863计划(No.715-011-0032) 上海市科技发展基金项目(No.97JC14019)
主 题：氮化镓 RF-Plasma分子束外延 原子力显微镜 X射线衍射分析 缓冲层 二维生长
摘 要：报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN)。通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核、准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。
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