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微波电子产品贮存状态的SSADT评估方法

Storage life and reliability evaluation of microwave electronical product by SSADT

作     者:李晓阳 姜同敏 黄涛 李庚雨 Li Xiaoyang;Jiang Tongmin;Huang Tao;Li Gengyu

作者机构:北京航空航天大学工程系统工程系北京100191 北京遥感设备研究所北京100854 

出 版 物:《北京航空航天大学学报》 (Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics)

年 卷 期:2008年第34卷第10期

页      面:1135-1138页

核心收录:

学科分类:07[理学] 070104[理学-应用数学] 0701[理学-数学] 

基  金:“十一五”预研项目(51319030301) 

主  题:贮存 可靠性 退化 布朗运动 寿命 加速试验 通断电 

摘      要:针对在贮存期内具有长寿命、高可靠性特点的系统级微波电子产品,为了快速评估其贮存寿命与可靠性指标,提出了使用步进应力加速退化试验(SSADT,Step Stress Ac-celerated Degradation Testig)的试验方法.首先给出SSADT的基本假设.基于该产品的故障模式影响及危害性分析和故障树分析结果,为该产品确定了加速模型.并结合线性漂移布朗运动的首达时(first passage time)分布服从逆高斯分布的特点,建立了SSADT的可靠性评估模型.其次,根据线性漂移布朗运动的独立增量性,给出了可靠性评估模型参数的极大似然法和最小二乘法相结合的评估方法.为了剔除试验中为检测产品性能而引入的通断电对产品贮存寿命与可靠性评估带来的影响,在借鉴可靠性相关标准的基础上,提出了通断电因子退化率折合方法,并得到了线性漂移布朗运动的通断电折合公式.最终的实例证明,采用提出的贮存寿命与可靠性方法能够得到合理的评估结果,从而验证了该方法的正确性.

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