3″硅片CVD外延电阻丝辐射加热物理基础及升温瞬态过程分析
Study on a transient state of temperature rising of a 3" silicon wafer and heat transfer of a radiating resistance in a UHVCVD system作者机构：浙大硅材料国家重点实验室
出 版 物：《浙江大学学报（自然科学版）》 (Journal of Zhejiang University(Engineering Science))
年 卷 期：1996年第30卷第4期
页 面：455-460页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家教委优秀青年教师基金 博士点基金 浙江省自然科学基金
主 题：辐射传热 化学气相沉积 硅 UHVCVD 电阻丝 升温
摘 要：本文论述了关于ＵＨＶＣＶＤ系统电阻丝辐射加热装置传热规律的物理基础；并利用它们对硅片升温的瞬态过程进行了研究，取得了与实验相近的结果．这为ＵＨＶＣＶＤ硅低温外延时控制硅片温度提供了理论根据．
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