PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法:一种改进的石墨烯转移技术

作     者：王胜涛 卢维尔 王桐 夏洋 WANG Shengtao;LU Weier;WANG Tong;XIA Yang

作者机构：中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心北京100029 北京交通大学理学院北京100044 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029 中国科学院大学北京101407 

出 版 物：《材料导报》 (Materials Reports)

年 卷 期：2019年第33卷第2期

页      面：230-233页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金青年基金(61604175 61427901)~~ 

主　　题：石墨烯转移 聚乙烯醇(PVA) 残胶 铜刻蚀法 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 支撑膜 

摘      要：石墨烯具有高载流子迁移率、高热导率、高力学强度等独特性能,可应用于微电子器件、生物传感器、燃料电池、储能器件等,在许多领域拥有广阔的发展前景。如何转移得到少残胶、无破损的石墨烯是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的基于铜刻蚀法的石墨烯转移技术存在因聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶解不彻底、残留在石墨烯表面而造成污染的不足。鉴于此,本工作提出了PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法,即在铜刻蚀法中引入高水溶性的聚乙烯醇(PVA,醇解度98%)作为高强度PMMA和石墨烯之间的阻隔层,构成双支撑膜。光学显微镜(OM)、拉曼(Raman)光谱及电学性能测试的结果表明,该方法转移得到的石墨烯残胶少、表面洁净,具有高的结晶特性,并且其背栅场效应晶体管(BGFET)表现出良好的载流子迁移率。此外,该方法操作简便,同时还是一种潜在的用于多种二维材料转移的普适技术。