p型氧化镍薄膜晶体管的微流控法制备研究

作     者：梁玉 梁凌燕 吴卫华 裴郁 姚志强 曹鸿涛 LIANG Yu;LIANG Ling-Yan;WU Wei-Hua;PEI Yu;YAO Zhi-Qiang;CAO Hong-Tao

作者机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所浙江省石墨烯应用研究重点实验室宁波315201 郑州大学材料科学与工程学院国家低碳环保材料智能设计国际联合研究中心郑州450001 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2019年第34卷第1期

页      面：79-84页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(51772276) 宁波市科技创新团队(2016B100005)~~ 

主　　题：氧化物半导体 溶液法 浸润性 薄膜晶体管 热失重-差热曲线 

摘      要：可以图形化和沉积同时进行的镀膜技术可有效简化器件制备流程,从而降低成本。本工作研究了一种新型的图形化沉积镀膜技术–微流控法:将宽度及间隔均为80μm、沟槽深度为2μm左右的PDMS模板与衬底贴合构筑微流通道,毛细力作用下前驱液可在微流通道内流动,并在衬底表面形成图形化的液膜,最后经热处理完成图行化的薄膜沉积。此外,分析了硝酸镍/2-甲氧基乙醇前驱体的热分解过程和不同温度退火下前驱体粉末的相结构演化规律。最终利用微流控法图形化沉积技术制备了图形化的氧化镍沟道,并构筑了薄膜晶体管器件。优化后的薄膜晶体管表现出典型的p型特征,场效应迁移率可达0.8 cm^2?V^(–1)?s^(–1)。