印刷制作的双半导体底层碳纳米管薄膜阴极的稳定电子发射（英文）

作     者：李玉魁 武超 刘飞 杨娟 LI Yu-kui;WU Chao;LIU Fei;YANG Juan

作者机构：金陵科技学院电子信息工程学院南京211169 中原工学院电子信息学院郑州450007 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：2019年第48卷第1期

页      面：57-66页

核心收录：

学科分类：0810[工学-信息与通信工程] 08[工学] 081001[工学-通信与信息系统] 

基　　金：The National Natural Science Foundation of China(No.61302167) the Key Project of Science and Technology Research of Educational Commission of Henan Province(No.14A510007) the Scientific Research Starting Foundation for High Level Talents in Jinling Institute of Technology(No.jit-rcyj-201602) 

主　　题：薄膜阴极 掺杂底层 烧结 丝网印刷 电子发射 

摘      要：应用带保护气进行烧结的方法,制作了一种双半导体底层碳纳米管薄膜阴极.利用烧结的银浆形成条形银电极,在条形银电极表面制作了具有相同宽度且平行排列的ZnO掺杂底层和TiO2掺杂底层,在掺杂底层上面制备了碳纳米管膜层.由于保护气的防氧化屏蔽,碳纳米管膜层中的碳纳米管未受损害,ZnO粒子和TiO2粒子也在烧结过程中得到了很好地保护,双半导体底层碳纳米管薄膜阴极获得更优的电子发射特性,且电子发射稳定性也得到有效增强.与普通条形银电极碳纳米管阴极相比,双半导体底层碳纳米管薄膜阴极能够将开启电场从2.09V/μm降低到1.91V/μm,将最大电子发射电流从1 653.5μA提高到2 672.9μA.在2.69V/μm电场作用下,普通条形银电极碳纳米管阴极的电子发射电流仅为421.1μA,而双半导体底层碳纳米管薄膜阴极的电子发射电流能够达到723.5μA.从发射电流稳定性实验曲线可以看出,双半导体底层碳纳米管薄膜阴极实现了稳定的电子发射,表明ZnO掺杂底层和TiO2掺杂底层能够应用于真空环境.利用数码相机获得了具有良好质量的发射图像,验证了双半导体底层碳纳米管薄膜阴极制作的可行性和适用性.