退火处理对不同RF功率下制备ZnO薄膜的结晶性能的影响

作     者：吕珺 汪冬梅 陈长奇 吴玉程 郑治祥 L(U) Jun;WANG Dong-mei;CHEN Chang-qi;WU Yu-cheng;ZHENG Zhi-xiang

作者机构：合肥工业大学材料科学与工程学院 合肥工业大学机械学院真空实验室安徽合肥230009 

出 版 物：《材料热处理学报》 (Transactions of Materials and Heat Treatment)

年 卷 期：2006年第27卷第3期

页      面：26-31页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：合肥工业大学中青年科技创新群体专项资助(103-037016) 

主　　题：ZnO薄膜 RF磁控溅射 溅射功率 退火处理 结晶性能 应力 

摘      要：采用RF磁控溅射法,在不同溅射功率下在玻璃衬底上制备了ZnO薄膜,并对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行了不同温度(350-600℃)的退火处理。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等研究了退火对不同溅射功率条件下制备的ZnO薄膜晶体性能和应力状态的影响。研究表明,在衬底没有预热的情况下,较低功率(190W)下制备的ZnO薄膜,当退火温度为500℃时,能获得单一c轴择优取向和最小半高宽,张应力在350℃退火时最小;较高功率(270W)下,薄膜最佳c轴取向和晶粒度在600℃退火温度获得,张应力最小的退火温度在350-500℃之间。当衬底预热至300℃时,退火处理对两种功率下制备的薄膜的结晶性能和应力的影响基本一致。