集成肖特基二极管的沟槽功率HOSFET和DC-DC转换器的性能优势

作     者：Donald He Jason Zhang Ritu Sodhi Dan Kinzer Stuart Edwards Paul Harvey Donald He, Jason Zhang, Ritu Sodhi, Dan Kinzer. Stuart Edwards, Paul Harvey International Rectifier Corporation

作者机构：International Rectifier Corporation 

出 版 物：《电力电子》 (Power Electronics)

年 卷 期：2005年第3卷第6期

页      面：30-33,29页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：集成肖特基二极管 MOSFET DC-DC转换器 性能 

摘      要：发展单片集成MOSFET和肖特基二极管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件,这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时,它可以降低超过29% 的反向恢复电荷,和降低24%的正向电压降。在1MHZ,集成单片FET做同步整流,其电路效率提高 1.1%。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。