毫米波单片低噪声放大器的研制
Design and implementation of monolithic millimeter wave low noise amplifiers作者机构:东南大学毫米波国家重点实验室南京210096
出 版 物:《东南大学学报(自然科学版)》 (Journal of Southeast University:Natural Science Edition)
年 卷 期:2010年第40卷第3期
页 面:449-453页
核心收录:
学科分类:0810[工学-信息与通信工程] 080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0812[工学-计算机科学与技术(可授工学、理学学位)]
基 金:国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB327405) 国家自然科学基金委创新研究群体科学基金资助项目(60921063)
摘 要:采用OMMIC0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了两级和三级2种毫米波单片低噪声放大器.以最小噪声度量为设计依据,通过适当提高偏置电流的方法改善毫米波频段的增益,使得放大器在保持噪声系数较小的同时获得较高的增益.两级低噪声放大器采用串联负反馈结合并联负反馈的结构,可以获得比较平坦的增益;三级低噪声放大器采用三级相似的串联负反馈结构级联,可以紧凑结构、在相同的芯片尺寸下获得较高的增益,2种低噪声放大器芯片的尺寸均为1.5mm×1.0mm.测试结果表明,在28-40GHz频段内,两级低噪声放大器增益最大为15.4dB、噪声系数最小为3.2dB;三级低噪声放大器增益最大为24.8dB、噪声系数最小为2.73dB,达到预期目标.