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TEM-弱束方法研究Ni_3Ga单晶次级滑移的超位错

作     者:姜南 孙永谦 

作者机构:中国科学院北京电子显微镜实验室 牛津大学材料系 

出 版 物:《电子显微学报》 (Journal of Chinese Electron Microscopy Society)

年 卷 期:1993年第12卷第2期

页      面:112-112页

核心收录:

学科分类:081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

主  题:金属间化合物 Ni3Ga单晶 次级滑移 超位错 

摘      要:具有Ll_2结构的Ni_3Ga在室温和600℃高温之间有异常力学性能,即在此温度范围内,它的屈服应力随温度的升高而增加。当形变量不大时,在此温度范围内只有初级滑移系启动。

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