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准单晶硅技术研究进展

Research Progress on Mono-like Silicon Technology

作     者:苏柳 郝秋艳 解新建 刘彩池 刘晓兵 Jin Hao SU Liu;HAO Qiu-yan;XIE Xin-jian;LIU Cai-chi;LIU Xiao-bing;Jin Hao

作者机构:河北工业大学材料科学与工程学院天津300130 光为绿色新能源股份有限公司保定074000 

出 版 物:《硅酸盐通报》 (Bulletin of the Chinese Ceramic Society)

年 卷 期:2012年第31卷第3期

页      面:609-612页

核心收录:

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:准单晶 铸造工艺 晶界 缺陷 

摘      要:准单晶硅结合了铸造多晶硅和直拉单晶硅的特点,既具有成本低,产量高的优势,又具有转化效率高的优点。但目前各企业和科研单位对准单晶硅的研究仍处于实验探索阶段。本文系统阐述了准单晶技术的研究进展,介绍了准单晶的两种铸造方法、与传统单晶硅相比所存在的优势、在国内外的发展状况及存在问题,并对其发展前景做了展望。

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