缓冲化学腐蚀对高纯铌材剩余电阻率的影响
Effects of Buffered Chemical Etch on Residual Resistivity Ratio of High Purity Niobium作者机构：宁夏东方钽业股份有限公司宁夏石嘴山753000
出 版 物：《有色金属加工》 (Nonferrous Metals Processing)
年 卷 期：2014年第43卷第4期
页 面：10-12页
学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：科技型中小企业 技术创新基金项目(12C26216407259)
摘 要：文章主要研究了缓冲化学腐蚀对高纯铌材剩余电阻率的影响,在使用氢氟酸(40%)∶硝酸(65%)∶磷酸(85%)的混合酸体积比为1∶1∶2的情况下,随着腐蚀温度升高,剩余电阻率会降低;腐蚀时间长导致酸液温度升高,也会使高纯铌样品的剩余电阻率降低。选择合适的工艺参数,对正确判断铌材性能和适当处理铌材具有重要意义。
维普期刊数据库
同方期刊数据库