磁控溅射法制备高性能ZnO薄膜晶体管

作     者：白钰 李祥平 齐剑英 

作者机构：五邑大学应用物理与材料学院广东江门529020 广州大学化学化工学院广东广州510006 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2012年第23卷第5期

页      面：878-884页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学青年基金(40903044)资助项目 

主　　题：磁控溅射法 绝缘层 Ar-O2比 薄膜晶体管(TFT) 

摘      要：研究了磁控溅射法制备的ZnO薄膜晶体管(TFT)。以NH3处理的热生长SiO2作为绝缘层,控制好Ar-O2比等条件溅射合适厚度的ZnO作为器件的有源层。实验表明,与普通条件下热生长的SiO2绝缘层硅片相比,NH3处理的高性能SiO2绝缘层Si片器件的载流子迁移率至少要高1个数量级以上;溅射条件在Ar-O2比25∶1情况下制作的器件性能最好;ZnO薄膜厚度也对ZnO-TFT性能有很大的影响。实验中,采用了4种膜厚,测试表明,其中25nm厚的ZnO薄膜迁移率最大。