碳化硅粉末电致发光机理研究
ON THE MECHANIISM OF ELECTROLUMINESCENCE(EL)OF SILICON CARBIDE(SiC) POWDER作者机构：西安交通大学电气工程系
出 版 物：《西安交通大学学报》 (Journal of Xi'an Jiaotong University)
年 卷 期：1989年第23卷第S1期
页 面：57-62页
核心收录：
学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：本文研究了碳化硅(SiC)防晕材料的电致发光现象。对发光亮度波形等的观察表明,SiC 电致发光是由贯穿 SiC 晶体的阻性电流引起的,发光亮度和该电流成正比,属载流子注入发光;SiC 试样体内主要有 N-Al 和 N—B施主—受主对两种复合机制。由于 SiC 试样含杂质浓度较高,从发光光谱可以得知 SiC 禁带中存在杂质能带。本文最后提出了 SiC 防晕材料电致发光机理,用它解释了由发光亮度衰减波形和亮度—频率关系曲线测得的两个不同的电子寿命值。
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