结构设计对铁电薄膜系统电滞回线的影响
Hysteresis Loops Characteristics of Bi_4Ti_3O_(12) Ferroelectric Thin Films with Different Configuration on Si Substrates作者机构：桂林电子工业学院通信与信息工程系桂林541004
出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)
年 卷 期：2004年第19卷第1期
页 面：153-158页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：广西自然科学基金(桂科基0236062) 广西教育厅基金(桂教科研200156)
摘 要：为制备符合Si集成铁电器件要求的高质量Si基铁电薄膜,采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺,制备了MFM及MFS结构的铁电薄膜系统.研究了不同结构及不同衬底对铁电薄膜系统铁电性能及电滞回线的影响,并对这些差异产生的主要影响因素进行了分析.在此基础上,提出并制备了Ag/Pb(Zr0 52Ti0.48)O3/Bi4Ti3O12/p-Si多层结构,该结构铁电薄膜系统的铁电性能及电滞回线的对称性有明显改善,有望应用于Si集成铁电器件.
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