基于像素法用模拟退火-遗传算法搜索一维宽带隙光子晶体
One-dimensional Photonic Crystal with Large Band Gaps Designed by Annealing-Genetic Algorithm作者机构：上海理工大学上海200093 中国计量学院杭州310018
出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)
年 卷 期：2008年第37卷第7期
页 面：1396-1400页
核心收录：
学科分类：12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程(可授管理学、工学学位)] 08[工学] 081104[工学-模式识别与智能系统] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0835[工学-软件工程] 0811[工学-控制科学与工程] 0702[理学-物理学] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）]
主 题：一维光子晶体 禁带宽度 模拟退火-遗传算法 像素填充法
摘 要：将一维光子晶体用像素填充法进行二进制编码,把模拟退火、遗传算法、模拟退火-遗传混合算法与传输矩阵法结合,搜索、计算了一维光子晶体结构和能带,找到了全方位相对禁带宽度高达43.53%的四层结构和43.76%的两层结构,并给出了一维四层结构光子晶体的能带图及其4个原胞的反射率和透射率的频谱图;发现一维两层结构光子晶体的全方位禁带宽度对每层厚度的变化不敏感,但随着两种介质折射率差的增加而增大.
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