Si纳米线场效应晶体管研究进展

作     者：张严波 熊莹 杨香 韩伟华 杨富华 Zhang Yanbo;Xiong Ying;Yang Xiang;Han Weihua;Yang Fuhua

作者机构：中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心北京100083 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2009年第46卷第11期

页      面：641-648,663页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家863计划资助项目(2007AA03Z303) 国家自然科学基金资助项目(60506017 60776059) 国家高技术研究发展计划资助项目(2007AA03Z303) 

主　　题：纳米线 场效应晶体管 短沟道效应 围栅 自限制氧化 

摘      要：从Si纳米线场效应晶体管(SiNWFET)的结构原理、Si纳米线的制作工艺以及器件电学性能的改善措施三个方面介绍了SiNWFET的研究进展。通过分析SiNWFET的漏极电压对沟道电势的影响,表明SiNWFET自身的细沟道和围栅结构对于改善亚阈值特性和抑制短沟道效应起着关键作用。针对Si纳米线的制备,介绍了光刻、刻蚀与热氧化等自上而下的方法和气-液-固生长这种自下而上的方法。分析了SiNWFET的电学性能,探讨了为改善电学性能而进行的器件结构和工艺的改进,包括选择沟道取向,采用多条纳米线、应变纳米线或新材料作为沟道以及减小源-漏接触电阻等措施。最后对SiNWFET所面临的挑战和前景作了展望。