用分子层掺杂法进行硼的超浅重掺杂
Ultrashallow, High Doping of Boron Using Molecular Layer Doping作者机构：广州半导体器件厂
出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)
年 卷 期：1992年第9卷第8期
页 面：48-48,F003页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：本文提出了一种新的掺杂方法:分子层掺杂(MLD)。它的机理是表面化学吸附掺杂气体的溶解物。以B_2H_6作掺杂气体按MLD工艺成功地获得了超浅掺硼层。所形成的p+n结特性理想,即在5V反问偏置下,漏电流小于2.5×10^(-16)A/μm^2。MLD法是快速提供高浓度、浅结、无损伤、选择掺杂的颇具吸引力的方法。
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