超净硅片表面化学清洗工艺的优化研究
Optimization of Si Wafer Chemical Cleaning Process作者机构：浙江大学硅材料国家重点实验室
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1996年第17卷第5期
页 面：380-385页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：本文采用正交试验设计法优化硅片化学清洗工艺，由Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）检测清洗后的硅表面沾污杂质．结果表明，硅表面主要沾污杂质氧和碳的最低含量分别为１．６×１０１３／ｃｍ２和３．１×１０１３／ｃｍ２，均达到超净的水平（～３×１０１３／ｃｍ２）．本文还研究了Ⅰ号液和Ⅱ号液对硅片表面沾污的影响．
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