二维介质圆柱型光子晶体完全禁带与结构参数的关系

作     者：张晓玉 姚汉民 杜春雷 张磊 

作者机构：中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室成都610209 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2004年第15卷第7期

页      面：835-838页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：光电技术研究所领域前沿课题项目 四川省学术和技术带头人培养资金项目 微细加工光学技术国家重点实验室开放基金资助项目 

主　　题：二维介质圆柱 光子晶体 完全禁带 填充比 晶格 介电常数比 

摘      要：利用Bandsolve软件分别优化计算得到GaAs、Si、Ge三种材料的二维介质圆柱型光子晶体完全禁带与晶格结构、填充比、介电常数比三个主要影响因素之间的关系。研究发现,当填充比(r/a)介于0.1～0.5时,对于六边形晶格,三种材料都不存在完全禁带;四边形晶格,Ge存在较窄的完全禁带,GaAs和Si不存在完全禁带。对于蜂窝形晶格,当填充比介于0.18～0.5时,三种材料均存在较大的完全禁带,而且,介电常数比越大,完全禁带宽度越大。所得结果对二维介质圆柱型光子晶体的制作和进一步应用研究奠定了理论依据。