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Si_2CN_4(010)表面特性的第一性原理研究

First principles study on structure and property of Si_2CN_4(010) surface

作     者:卢硕 张跃 尚家香 Lu Shuo;Zhang Yue;Shang Jia-Xiang

作者机构:北京航空航天大学材料科学与工程学院北京100191 

出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期:2011年第60卷第2期

页      面:614-620页

核心收录:

学科分类:0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学] 

主  题:Si2CN4 表面 原子结构 电子结构 

摘      要:应用第一性原理系统地研究了不同端面Si2CN4(010)模型的表面特性.通过3种可能表面模型解离能的比较,表明位于SiN层内的Si—NⅡ键结合最强,而与碳二亚胺链状结构相连的Si—NⅠ键结合最弱,因此易于形成以Si/NⅠ键为端面的表面.文中还研究了弛豫前后表面的原子结构和电子特性,表面的NⅠ原子容易形成新键,这是由于不饱和的NⅠ原子在费米能级处有较高的态密度,电子结构不稳定,相反表面C原子状态较稳定,无明显的成键趋势.

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