非均匀掺杂增强型埋沟pMOSFET阈值电压的建模
ModelingofThresholdVoltageforNonuniformly DopedEnhancedmodeBuriedchannelpMOSFET作者机构：复旦大学电子工程系
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：1999年第19卷第2期
页 面：182-189页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ和增强型表面沟道ｐＭＯＳＦＥＴ的导通机理，提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法，推导了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算公式，比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算值和测量值，计算值和测量值的相对偏差１０％，表明文中提出的有关方法和模型是有一定精度的。计算结果也表明掺杂浓度和结深是影响阈值电压的两个主要参数。
维普期刊数据库