O_2在UC(001)表面吸附的第一性原理研究

作     者：瞿鑫 何彬 李如松 王飞 袁凯龙 何山浩伟 QU Xin;HE Bin;LI Rusong;WANG Fei;YUAN Kailong;HE Shanhaowei

作者机构：火箭军工程大学核工程学院陕西西安710025 

出 版 物：《原子能科学技术》 (Atomic Energy Science and Technology)

年 卷 期：2018年第52卷第11期

页      面：1935-1941页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 0801[工学-力学（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51401237 11474358 51271198) 

主　　题：UC O2 吸附 GGA+U 

摘      要：本文使用GGA+U方法研究了O_2在UC(001)表面的吸附、解离过程。结果表明:U_(eff)=1.5eV能很好地再现晶格常数a和内聚能E_(coh)的实验结果;经过离子弛豫,最表面的两个原子层出现分层现象,各自形成两个亚层;O_2分子的吸附构型对吸附过程影响较大,吸附能在2.21~8.55eV之间变化。通过Bader电荷、差分电荷和态密度分析,可确定O_2分子的解离活化机理为U的5f/6d电子转移至O_2的π2p和π*2p轨道。