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硅液相外延生长的晶向自动偏离现象

THE AUTOMATIC DEFLECTION OF CRYSTAL ORIENTATION IN Si LIQUID PHASE EPITAXY

作     者:江鉴 张仕国 Jiang Jian (No.809 Institute of SAST·Shanghai 200050) Zhang Shiguo (State Key Lab. of Silicon material, Zhejiang University·Hangzhou 310027)

作者机构:上海航天技术研究院809所 浙江大学硅材料科学国家重点实验室 

出 版 物:《上海航天》 (Aerospace Shanghai)

年 卷 期:1999年第16卷第1期

页      面:27-29页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:浙江省自然科学基金 高教博士点资金 

主  题:薄膜工艺 液相外延 晶体生长  自动偏离 

摘      要:通过对液相外延的薄膜X衍射测试,结果显示不论衬底是否偏离[111]晶向,外延层在同一衍射位置都出现了双峰。经比较分析,确认了硅(111)面在液相外延生长时存在晶向自动偏转现象。

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